Az BQ2026DBZR most elérhető!Az LYNTEAM technológia az BQ2026DBZR állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetBQ2026DBZRe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon BQ2026DBZR LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
BQ2026DBZR
- Cikkszám:
- BQ2026DBZR
- Gyártó:
- TI
- Leírás:
- IC EPROM 1.5K SGL WIRE SOT23-3
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 43451 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- BQ2026DBZR.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Write Cycle Time - Szó, oldal: | - |
| Feszültségellátás: | 2.65 V ~ 5.5 V |
| Technológia: | EPROM - OTP |
| Szállító eszközcsomag: | SOT-23-3 |
| Sorozat: | - |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Más nevek: | 296-30068-2 |
| Üzemi hőmérséklet: | -20°C ~ 70°C (TA) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Memória típusa: | Non-Volatile |
| Memória mérete: | 1.5K (6 pages x 32 bytes) |
| Memória interfész: | Single Wire |
| Memória formátum: | EPROM |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 28 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Részletes leírás: | EPROM - OTP Memory IC 1.5K (6 pages x 32 bytes) Single Wire SOT-23-3 |
| Alap rész száma: | BQ2026 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az BQ2026DBZR-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be