Az BCR133WE6327HTSA1 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az BCR133WE6327HTSA1 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetBCR133WE6327HTSA1e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon BCR133WE6327HTSA1 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
BCR133WE6327HTSA1
- Cikkszám:
- BCR133WE6327HTSA1
- Leírás:
- TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 45613 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- BCR133WE6327HTSA1.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Tranzisztor típusú: | NPN - Pre-Biased |
| Szállító eszközcsomag: | PG-SOT323-3 |
| Sorozat: | - |
| Ellenállás - emitteralap (R2): | 10 kOhms |
| Ellenállás - alap (R1): | 10 kOhms |
| Teljesítmény - Max: | 250mW |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | SC-70, SOT-323 |
| Más nevek: | BCR 133W E6327 BCR 133W E6327-ND BCR133WE6327 BCR133WE6327HTSA1TR-NDTR BCR133WE6327XT SP000010764 |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvencia - Átmenet: | 130MHz |
| Részletes leírás: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3 |
| DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 5mA, 5V |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 100mA |
| Alap rész száma: | BCR133 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az BCR133WE6327HTSA1-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében