Az BCR 512 B6327 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az BCR 512 B6327 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetBCR 512 B6327e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon BCR 512 B6327 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
BCR 512 B6327
- Cikkszám:
- BCR 512 B6327
- Leírás:
- TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 31425 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- BCR 512 B6327.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tranzisztor típusú: | NPN - Pre-Biased |
| Szállító eszközcsomag: | SOT-23-3 |
| Sorozat: | - |
| Ellenállás - emitteralap (R2): | 4.7 kOhms |
| Ellenállás - alap (R1): | 4.7 kOhms |
| Teljesítmény - Max: | 330mW |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Más nevek: | BCR 512 B6327-ND BCR512B6327 BCR512B6327XT SP000056341 |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvencia - Átmenet: | 100MHz |
| Részletes leírás: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount SOT-23-3 |
| DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 60 @ 50mA, 5V |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 500mA |
| Alap rész száma: | BCR512 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az BCR 512 B6327-hoz
Latest News
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára