Az BC807DS,115 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az BC807DS,115 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetBC807DS,115e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon BC807DS,115 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
BC807DS,115
- Cikkszám:
- BC807DS,115
- Gyártó:
- Nexperia
- Leírás:
- TRANS 2PNP 45V 0.5A 6TSOP
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 47597 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- BC807DS,115.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 45V |
| Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Tranzisztor típusú: | 2 PNP (Dual) |
| Szállító eszközcsomag: | 6-TSOP |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101 |
| Teljesítmény - Max: | 600mW |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | SC-74, SOT-457 |
| Más nevek: | 1727-6182-2 568-7989-2 568-7989-2-ND 934057318115 BC807DS T/R BC807DS T/R-ND BC807DS,115-ND BC807DS115 |
| Üzemi hőmérséklet: | 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvencia - Átmenet: | 80MHz |
| Részletes leírás: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 45V 500mA 80MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP |
| DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 160 @ 100mA, 1V |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 500mA |
| Alap rész száma: | BC807DS |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az BC807DS,115-hoz
Latest News
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára