Az BAW101E6327HTSA1 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az BAW101E6327HTSA1 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetBAW101E6327HTSA1e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon BAW101E6327HTSA1 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
BAW101E6327HTSA1
- Cikkszám:
- BAW101E6327HTSA1
- Leírás:
- DIODE ARRAY GP 300V 250MA SOT143
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 24644 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- BAW101E6327HTSA1.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 1.3V @ 100mA |
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 300V |
| Szállító eszközcsomag: | PG-SOT143-4 |
| Sebesség: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Sorozat: | - |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 1µs |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-253-4, TO-253AA |
| Más nevek: | BAW 101 E6327 BAW 101 E6327-ND BAW101E6327BTSA1 BAW101E6327HTSA1TR BAW101E6327INTR BAW101E6327INTR-ND BAW101E6327XT SP000010363 |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | 150°C (Max) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diódatípus: | Standard |
| Dióda konfiguráció: | 2 Independent |
| Részletes leírás: | Diode Array 2 Independent Standard 300V 250mA (DC) Surface Mount TO-253-4, TO-253AA |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 150nA @ 250V |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként): | 250mA (DC) |
| Alap rész száma: | BAW101 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az BAW101E6327HTSA1-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében