Az BAR74E6327HTSA1 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az BAR74E6327HTSA1 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetBAR74E6327HTSA1e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon BAR74E6327HTSA1 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
BAR74E6327HTSA1
- Cikkszám:
- BAR74E6327HTSA1
- Leírás:
- DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 23986 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- BAR74E6327HTSA1.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 1V @ 100mA |
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 50V |
| Szállító eszközcsomag: | SOT-23-3 |
| Sebesség: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sorozat: | - |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 4ns |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Más nevek: | BAR 74 E6327 BAR 74 E6327-ND BAR 74 E6327TR-ND BAR74E6327 BAR74E6327BTSA1 BAR74E6327HTSA1TR BAR74E6327XT SP000010202 |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | -65°C ~ 150°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diódatípus: | Standard |
| Részletes leírás: | Diode Standard 50V 250mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 100nA @ 50V |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io): | 250mA (DC) |
| Capacitance @ Vr, F: | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Alap rész száma: | BAR74 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az BAR74E6327HTSA1-hoz
Latest News
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára