Az B82726S6103N001 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az B82726S6103N001 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetB82726S6103N001e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon B82726S6103N001 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
B82726S6103N001
- Cikkszám:
- B82726S6103N001
- Gyártó:
- EPCOS
- Leírás:
- CMC 2.2MH 10A 2LN TH
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 53861 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- B82726S6103N001.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Tápfeszültség - DC: | - |
| Feszültségosztály - AC: | 250V |
| Méret / dimenzió: | 1.969" L x 0.906" W (50.00mm x 23.00mm) |
| Sorozat: | B82726 |
| Értékelések: | - |
| Csomagolás: | Tray |
| Csomagolás / tok: | Vertical, 4 PC Pin |
| Más nevek: | 495-6975 B82726S6103N 1 B82726S6103N1 B82726S6103N1-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 125°C |
| Sorok száma: | 2 |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 16 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Induktivitás @ Frekvencia: | 2.2mH @ 10kHz |
| Magasság (Max): | 1.929" (49.00mm) |
| Szűrő típusa: | Power Line |
| Jellemzők: | - |
| Részletes leírás: | 2.2mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 10A DCR 12 mOhm (Typ) |
| DC ellenállás (DCR) (Max): | 12 mOhm (Typ) |
| Áramlási érték (max.): | 10A |
| Engedélyek: | - |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az B82726S6103N001-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos