Az B82725J2602N001 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az B82725J2602N001 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetB82725J2602N001e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon B82725J2602N001 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
B82725J2602N001
- Cikkszám:
- B82725J2602N001
- Gyártó:
- EPCOS
- Leírás:
- CMC 3.9MH 6A 2LN TH
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 55308 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- B82725J2602N001.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Tápfeszültség - DC: | - |
| Feszültségosztály - AC: | 250V |
| Méret / dimenzió: | 1.591" L x 0.846" W (40.40mm x 21.50mm) |
| Sorozat: | B82725 |
| Értékelések: | - |
| Csomagolás: | Tray |
| Csomagolás / tok: | Vertical, 4 PC Pin |
| Más nevek: | B82725J2602N 1 B82725J2602N1 B82725J2602N1-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 125°C |
| Sorok száma: | 2 |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 18 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Induktivitás @ Frekvencia: | 3.9mH @ 10kHz |
| Magasság (Max): | 1.575" (40.00mm) |
| Szűrő típusa: | Power Line |
| Jellemzők: | - |
| Részletes leírás: | 3.9mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 6A DCR 40 mOhm (Typ) |
| DC ellenállás (DCR) (Max): | 40 mOhm (Typ) |
| Áramlási érték (max.): | 6A |
| Engedélyek: | ENEC, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az B82725J2602N001-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos