Az AOTF10B60D most elérhető!Az LYNTEAM technológia az AOTF10B60D állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetAOTF10B60De-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon AOTF10B60D LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
AOTF10B60D
- Cikkszám:
- AOTF10B60D
- Leírás:
- IGBT 600V 20A 42W TO220F
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 31558 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- 1.AOTF10B60D.pdf2.AOTF10B60D.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 600V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 1.8V @ 15V, 10A |
| Teszt állapot: | 400V, 10A, 30 Ohm, 15V |
| Td (be / ki) @ 25 ° C: | 10ns/72ns |
| Energiaváltás: | 260µJ (on), 70µJ (off) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-220-3F |
| Sorozat: | Alpha IGBT™ |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 105ns |
| Teljesítmény - Max: | 42W |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-220-3 Full Pack |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 26 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti típus: | Standard |
| IGBT típus: | - |
| Gate Charge: | 17.4nC |
| Részletes leírás: | IGBT 600V 20A 42W Through Hole TO-220-3F |
| Jelenlegi - kollektoros impulzusos (Icm): | 40A |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 20A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az AOTF10B60D-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos