Az 80D681P100JB2DE3 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az 80D681P100JB2DE3 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervet80D681P100JB2DE3e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon 80D681P100JB2DE3 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
80D681P100JB2DE3
- Cikkszám:
- 80D681P100JB2DE3
- Gyártó:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Leírás:
- CAP ALUM 680UF 100V SNAP
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 45209 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- 80D681P100JB2DE3.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - névleges: | 100V |
| Tolerancia: | -10%, +30% |
| Felszíni földterület: | - |
| Méret / dimenzió: | 1.000" Dia (25.40mm) |
| Sorozat: | 80D |
| Ripple Current @ alacsony frekvenciájú: | 2.2A @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 3.5A @ 40kHz |
| Értékelések: | - |
| Polarizáció: | Polar |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | Radial, Can - Snap-In |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 85°C |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 30 Weeks |
| Élettartam @ Hőm.: | 2000 Hrs @ 85°C |
| Ólomtartomány: | 0.394" (10.00mm) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Magasság - Ülés (Max): | 1.260" (32.00mm) |
| ESR (egyenértékű sorozat rezisztencia): | 139 mOhm @ 120Hz |
| Részletes leírás: | 680µF 100V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In 139 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C |
| Kapacitancia: | 680µF |
| Alkalmazások: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az 80D681P100JB2DE3-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében