Az 74AUP3G07GDH most elérhető!Az LYNTEAM technológia az 74AUP3G07GDH állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervet74AUP3G07GDHe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon 74AUP3G07GDH LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
74AUP3G07GDH
- Cikkszám:
- 74AUP3G07GDH
- Gyártó:
- Nexperia
- Leírás:
- IC BUFFER NON-INVERT 3.6V
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 53087 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- 74AUP3G07GDH.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás: | 0.8 V ~ 3.6 V |
| Szállító eszközcsomag: | - |
| Sorozat: | 74AUP |
| Csomagolás / tok: | - |
| Kimeneti típus: | Open Drain |
| Más nevek: | 935305784125 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Elemek száma: | 3 |
| Az elemenkénti bitek száma: | 1 |
| Szerelési típus: | - |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Logikai típus: | Buffer, Non-Inverting |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti típus: | - |
| Részletes leírás: | Buffer, Non-Inverting 3 Element 1 Bit per Element Open Drain Output |
| Aktuális - Kimenet magas, alacsony: | -, 4mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az 74AUP3G07GDH-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
74AUP3G04GS,115 | Nexperia | IC INVERTER 3CH 3-INP 8XSON | Vizsgálat |
 |
74AUP3G04GN,115 | Nexperia | IC INVERTER 3CH 3-INP 8XSON | Vizsgálat |
 |
74AUP3G14DCH | Nexperia | 74AUP3G14DC/SOT765/VSSOP8 | Vizsgálat |
 |
74AUP3G07DCH | Nexperia | IC BUF NON-INVERT 3.6V 8VSSOP | Vizsgálat |
 |
74AUP3G07GM,125 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 8XQFN | Vizsgálat |
|
74AUP3G14GDH | Nexperia | IC BUFFER INVERT 3.6V | Vizsgálat |
|
74AUP3G04DC,125 | Nexperia | IC INVERTER 3CH 3-INP 8VSSOP | Vizsgálat |
 |
74AUP3G14GTX | Nexperia | IC BUFFER INVERT 3.6V 8XSON | Vizsgálat |
 |
74AUP3G04GF,115 | Nexperia | IC INVERTER 3CH 3-INP 8XSON | Vizsgálat |
|
74AUP3G07GSX | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 8XSON | Vizsgálat |
|
74AUP3G07GNX | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 8XSON | Vizsgálat |
|
74AUP3G0434GTX | Nexperia | IC DUAL INVERTER SGL BUFF 8XSON | Vizsgálat |
|
74AUP3G14GM,125 | Nexperia | IC BUFFER INVERT 3.6V 8XQFN | Vizsgálat |
|
74AUP3G04GM,125 | Nexperia | IC INVERTER 3CH 3-INP 8XQFN | Vizsgálat |
|
74AUP3G14GSX | Nexperia | 74AUP3G14GS/SOT1203/X2SON8 | Vizsgálat |
 |
74AUP3G04GD,125 | Nexperia | IC INVERTER 3CH 3-INP 8XSON | Vizsgálat |
|
74AUP3G04GT,115 | Nexperia | IC INVERTER 3CH 3-INP 8XSON | Vizsgálat |
|
74AUP3G07GTX | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 8XSON | Vizsgálat |
|
74AUP3G0434GSX | Nexperia | IC DUAL INVERTER SGL BUFF X2SON8 | Vizsgálat |
|
74AUP3G14GNX | Nexperia | 74AUP3G14GN/SOT1116/X2SON8 | Vizsgálat |
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében