Az 71124S20YG most elérhető!Az LYNTEAM technológia az 71124S20YG állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervet71124S20YGe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon 71124S20YG LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
71124S20YG
- Cikkszám:
- 71124S20YG
- Leírás:
- IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 58600 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- 1.71124S20YG.pdf2.71124S20YG.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Write Cycle Time - Szó, oldal: | 20ns |
| Feszültségellátás: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Technológia: | SRAM - Asynchronous |
| Szállító eszközcsomag: | 32-SOJ |
| Sorozat: | - |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| Más nevek: | IDT71124S20YG IDT71124S20YG-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Memória típusa: | Volatile |
| Memória mérete: | 1Mb (128K x 8) |
| Memória interfész: | Parallel |
| Memória formátum: | SRAM |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 10 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Részletes leírás: | SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 20ns 32-SOJ |
| Alap rész száma: | IDT71124 |
| Hozzáférési idő: | 20ns |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az 71124S20YG-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be