Az 70T3399S133BFI most elérhető!Az LYNTEAM technológia az 70T3399S133BFI állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervet70T3399S133BFIe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon 70T3399S133BFI LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
70T3399S133BFI
- Cikkszám:
- 70T3399S133BFI
- Leírás:
- IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA
- Ólommentes állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 50777 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- 70T3399S133BFI.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Write Cycle Time - Szó, oldal: | - |
| Feszültségellátás: | 2.4 V ~ 2.6 V |
| Technológia: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Szállító eszközcsomag: | 208-CABGA (15x15) |
| Sorozat: | - |
| Csomagolás: | Tray |
| Csomagolás / tok: | 208-LFBGA |
| Más nevek: | IDT70T3399S133BFI IDT70T3399S133BFI-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Memória típusa: | Volatile |
| Memória mérete: | 2Mb (128K x 18) |
| Memória interfész: | Parallel |
| Memória formátum: | SRAM |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 10 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Részletes leírás: | SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (128K x 18) Parallel 133MHz 4.2ns 208-CABGA (15x15) |
| Órafrekvencia: | 133MHz |
| Alap rész száma: | IDT70T3399 |
| Hozzáférési idő: | 4.2ns |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az 70T3399S133BFI-hoz
Latest News
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult