Az 6T39007ANLGI8 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az 6T39007ANLGI8 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervet6T39007ANLGI8e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon 6T39007ANLGI8 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
6T39007ANLGI8
- Cikkszám:
- 6T39007ANLGI8
- Leírás:
- IC CLK BUFFER 2:4 13.4MHZ 24QFN
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 33973 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- 6T39007ANLGI8.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás: | 2.25 V ~ 2.75 V |
| típus: | Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer |
| Szállító eszközcsomag: | 24-QFN (4x4) |
| Sorozat: | - |
| Arány - bemenet: kimenet: | 2:4 |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 24-VFQFN Exposed Pad |
| kibocsátás: | LVDS |
| Más nevek: | IDT6T39007ANLGI8 IDT6T39007ANLGI8-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 85°C |
| Az áramkörök száma: | 1 |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemenet: | LVCMOS, Sine Wave |
| Frekvencia - Max: | 13.4MHz |
| Differenciál - bemenet: kimenet: | No/Yes |
| Részletes leírás: | Clock Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer IC 2:4 13.4MHz 24-VFQFN Exposed Pad |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az 6T39007ANLGI8-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be