Az 383LX223M080N102 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az 383LX223M080N102 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervet383LX223M080N102e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon 383LX223M080N102 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
383LX223M080N102
- Cikkszám:
- 383LX223M080N102
- Gyártó:
- Cornell Dubilier Electronics
- Leírás:
- CAP ALUM 22000UF 20% 80V SNAP
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 38340 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- 383LX223M080N102.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - névleges: | 80V |
| Tolerancia: | ±20% |
| Felszíni földterület: | - |
| Méret / dimenzió: | 1.575" Dia (40.00mm) |
| Sorozat: | 383LX |
| Ripple Current @ alacsony frekvenciájú: | 6.95A @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 7.99A @ 20kHz |
| Értékelések: | - |
| Polarizáció: | Polar |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | Radial, Can - Snap-In - 4 Lead |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 105°C |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 16 Weeks |
| Élettartam @ Hőm.: | 3000 Hrs @ 105°C |
| Ólomtartomány: | - |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Magasság - Ülés (Max): | 4.213" (107.00mm) |
| ESR (egyenértékű sorozat rezisztencia): | 19 mOhm @ 120Hz |
| Részletes leírás: | 22000µF 80V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In - 4 Lead 19 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C |
| Kapacitancia: | 22000µF |
| Alkalmazások: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az 383LX223M080N102-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében