Az 1N5626GPHE3/54 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az 1N5626GPHE3/54 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervet1N5626GPHE3/54e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon 1N5626GPHE3/54 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
1N5626GPHE3/54
- Cikkszám:
- 1N5626GPHE3/54
- Gyártó:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Leírás:
- DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 25037 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- 1N5626GPHE3/54.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 1V @ 3A |
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 600V |
| Szállító eszközcsomag: | DO-201AD |
| Sebesség: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Sorozat: | SUPERECTIFIER® |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 3µs |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | DO-201AD, Axial |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | -65°C ~ 175°C |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diódatípus: | Standard |
| Részletes leírás: | Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 5µA @ 600V |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io): | 3A |
| Capacitance @ Vr, F: | 40pF @ 4V, 1MHz |
| Alap rész száma: | 1N5626 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az 1N5626GPHE3/54-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében