Az 1N2987A most elérhető!Az LYNTEAM technológia az 1N2987A állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervet1N2987Ae-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon 1N2987A LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
1N2987A
- Cikkszám:
- 1N2987A
- Gyártó:
- Microsemi
- Leírás:
- DIODE ZENER 25V 10W DO213AA
- Ólommentes állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 34884 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- 1N2987A.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Zener (Nom) (Vz): | 25V |
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 1.5V @ 2A |
| Tolerancia: | ±5% |
| Szállító eszközcsomag: | DO-213AA |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 10W |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Üzemi hőmérséklet: | -65°C ~ 175°C |
| Szerelési típus: | Chassis, Stud Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Impedancia (Max) (Zzt): | 6 Ohms |
| Részletes leírás: | Zener Diode 25V 10W ±5% Chassis, Stud Mount DO-213AA |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 10µA @ 18.2V |
| Alap rész száma: | 1N2987 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az 1N2987A-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
1N2987B | Microsemi | DIODE ZENER 25V 10W DO213AA | Vizsgálat |
|
1N2989A | Microsemi | ZENER DIODE | Vizsgálat |
|
1N2988RB | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 27V 10W DO213AA | Vizsgálat |
|
1N2984B | Microsemi | DIODE ZENER 20V 10W DO213AA | Vizsgálat |
|
1N2988B | Microsemi | DIODE ZENER 27V 10W DO213AA | Vizsgálat |
|
1N2984RB | Microsemi | DIODE ZENER 20V 10W DO213AA | Vizsgálat |
|
1N2984A | Microsemi | DIODE ZENER 20V 10W DO213AA | Vizsgálat |
|
1N2986B | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 24V 10W DO213AA | Vizsgálat |
|
1N2985A | Microsemi | DIODE ZENER 22V 10W DO213AA | Vizsgálat |
|
1N2990B | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 33V 10W DO213AA | Vizsgálat |
|
1N2990RB | Microsemi | DIODE ZENER 33V 10W DO213AA | Vizsgálat |
|
1N2985RB | Microsemi | DIODE ZENER 22V 10W DO213AA | Vizsgálat |
|
1N2986RB | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 24V 10W DO213AA | Vizsgálat |
|
1N2985B | Microsemi | DIODE ZENER 22V 10W DO213AA | Vizsgálat |
|
1N2986A | Microsemi | DIODE ZENER 24V 10W DO213AA | Vizsgálat |
|
1N2990A | Microsemi | DIODE ZENER 33V 10W DO213AA | Vizsgálat |
|
1N2989B | Microsemi | ZENER DIODE | Vizsgálat |
|
1N2989RB | Microsemi | DIODE ZENER 30V 10W DO213AA | Vizsgálat |
|
1N2983RB | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 19V 10W DO213AA | Vizsgálat |
|
1N2988A | Microsemi | DIODE ZENER 27V 10W DO213AA | Vizsgálat |
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében