TS12A4516DR je dostupan sada!LYNTEAM Technology je distributer čarapa za TS12A4516DR, imamo zalihe za trenutnu dostavu i dostupnu za dugo vremena.Pošaljite nam plan kupnje za TS12A4516DR putem e-pošte, mi ćemo vam dati najbolju cijenu prema vašem planu.
Kupi TS12A4516DR s LYNTEAM, spremite novac i vrijeme.
Naša e-mail: [email protected]
TS12A4516DR
- Dio brojeva:
- TS12A4516DR
- Proizvođač:
- TI
- Opis:
- IC SWITCH SPST 8SOIC
- Status slobodnog vođenja:
- Bez olova / RoHS sukladni
- Količina zaliha:
- 44621 Pieces
- Vrijeme isporuke:
- 1-2 days
- Olovo vrijeme:
- 4-8 weeks
- Obrazac podataka:
- TS12A4516DR.pdf
Uvod
Tehnički podaci
| Stanje | New & Original, tested |
|---|---|
| Zemlja podrijetla | Contact us |
| Oznaka za označavanje | Send by email |
| Napajanje, pojedinačni (V +): | - |
| Napajanje, Dual (V ±): | ±1 V ~ 6 V |
| Vrijeme prebacivanja (ton, tof) (maks.): | 75ns, 45ns |
| Circuit prekidača: | SPST - NO |
| Paket uređaja za dobavljače: | 8-SOIC |
| Niz: | - |
| Ambalaža: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / slučaj: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Druga imena: | 296-21911-2 TS12A4516DRG4 TS12A4516DRG4-ND |
| Radna temperatura: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Otpornost na stanje (maks.): | 20 Ohm |
| Broj strujnih krugova: | 1 |
| Krug multipleksora / demultipleksora: | 1:1 |
| Razina osjetljivosti vlage (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Proizvođač Standardno vrijeme dovršetka: | 8 Weeks |
| Status slobodnog olova / RoHS-a: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detaljan opis: | 1 Circuit IC Switch 1:1 20 Ohm 8-SOIC |
| Struja - propuštanje (IS (isključeno)) (maks.): | 5nA |
| preslušavanja: | - |
| Injekcija punjenja: | -13pC |
| Podudaranje kanala na kanal (ΔRon): | - |
| Kapacitet kanala (CS (isključeno), CD (isključeno)): | 5.5pF, 5.5pF |
| Broj osnovnog dijela: | TS12A4516 |
| -3 dB Širina pojasa: | 464MHz |
| Email: | [email protected] |
Povezani dijelovi za TS12A4516DR
Najnovije vijesti
- Kapacitet za proizvodnju HBM -a je isključen, DRAM memorija može biti u manjku u drugoj polovici godine
- Osnivači zidova završit će, HBM ili uzrokovati da se DRAM ponovno poveća
- AI potražnja za proširenjem mobilnih telefona i računala, Poboljšanje industrije za globalnu industriju poluvodiča
- Shvatite potrebe ADAS -a i sustava za nadzor kabine za senzore mrežnih sigurnosnih slika
- Šuška se da su Samsung i Sk Hynix zaustavili DDR3, a citat promocije porastao za 20 %
- Melexis je objavio MLX90427: Kontrola linija do novog izbora, sigurnih, učinkovitih i ekonomičnih
- Najavljeno je financijsko izvješće NXP i Ansonmei, a cijena cijene bakra prenosi se IC industriji
- Moels Micro Electronics postavio je nove urede u Tajvanu u Kini kako bi proširio poslovni teritorij
- Izvedba Texas Instruments još uvijek treba pojačati, a dvije tvornice za pohranu guraju nove flash memorijske proizvode
- Financijsko izvješće u prvom tromjesečju smanjuje se SEF Semiconductor (ST), a potražnja za automobilima je usporila
- Izvedba Texas Instruments još uvijek treba pojačati, a dvije tvornice za pohranu guraju nove flash memorijske proizvode
- Lokalni volumen zrelog čipa, Samsung NAND Flash memorija Proizvodnja kapaciteta u blizini opterećenja