SI7818DN-T1-GE3 je dostupan sada!LYNTEAM Technology je distributer čarapa za SI7818DN-T1-GE3, imamo zalihe za trenutnu dostavu i dostupnu za dugo vremena.Pošaljite nam plan kupnje za SI7818DN-T1-GE3 putem e-pošte, mi ćemo vam dati najbolju cijenu prema vašem planu.
Kupi SI7818DN-T1-GE3 s LYNTEAM, spremite novac i vrijeme.
Naša e-mail: [email protected]
SI7818DN-T1-GE3
- Dio brojeva:
- SI7818DN-T1-GE3
- Proizvođač:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
- Status slobodnog vođenja:
- Bez olova / RoHS sukladni
- Količina zaliha:
- 45437 Pieces
- Vrijeme isporuke:
- 1-2 days
- Olovo vrijeme:
- 4-8 weeks
- Obrazac podataka:
- SI7818DN-T1-GE3.pdf
Uvod
Tehnički podaci
| Stanje | New & Original, tested |
|---|---|
| Zemlja podrijetla | Contact us |
| Oznaka za označavanje | Send by email |
| Vgs (th) (maks.) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tehnologija: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket uređaja za dobavljače: | PowerPAK® 1212-8 |
| Niz: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 135 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Rasipanje snage (maks.): | 1.5W (Ta) |
| Ambalaža: | Cut Tape (CT) |
| Paket / slučaj: | PowerPAK® 1212-8 |
| Druga imena: | SI7818DN-T1-GE3CT |
| Radna temperatura: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vrsta montaže: | Surface Mount |
| Razina osjetljivosti vlage (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Proizvođač Standardno vrijeme dovršetka: | 33 Weeks |
| Status slobodnog olova / RoHS-a: | Lead free / RoHS Compliant |
| Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| Vrsta FET-a: | N-Channel |
| FET značajka: | - |
| Pogonski napon (maks. Uključeno, min. Uključeno): | 6V, 10V |
| Ispustite izvor napona (Vdss): | 150V |
| Detaljan opis: | N-Channel 150V 2.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Tekuća - Kontinuirano pražnjenje (Id) @ 25 ° C: | 2.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Povezani dijelovi za SI7818DN-T1-GE3
Najnovije vijesti
- ARM se pojavio u Computex -u 2024: Očekuje se da će se za AI do kraja 2025. godine koristiti više od 100 milijardi ARM uređaja
- Qorvo je pokrenuo izvanredne visoke 5G mMimo preliminari
- Popis simulacijskih ciklusa, ai pokreće potražnju za flash memorijom nastavlja se
- Micronov plan za izgradnju tvornice, NAND flash memorije po visokim cijenama ili održavanju
- Adi performanse su smanjene, supstrati bakrene folije su porasle, skladištenje originalnih tvorničkih povećanja proizvodnje Konzervativno
- Dolazi val inteligencije u automobilu, a Aimus Oslang pomogao je Sagiti Juguang da pusti MX Lidar
- Kapacitet za proizvodnju HBM -a je isključen, DRAM memorija može biti u manjku u drugoj polovici godine
- Osnivači zidova završit će, HBM ili uzrokovati da se DRAM ponovno poveća
- AI potražnja za proširenjem mobilnih telefona i računala, Poboljšanje industrije za globalnu industriju poluvodiča
- Shvatite potrebe ADAS -a i sustava za nadzor kabine za senzore mrežnih sigurnosnih slika
- Šuška se da su Samsung i Sk Hynix zaustavili DDR3, a citat promocije porastao za 20 %
- Melexis je objavio MLX90427: Kontrola linija do novog izbora, sigurnih, učinkovitih i ekonomičnih