NLV32T-220J-EFD je dostupan sada!LYNTEAM Technology je distributer čarapa za NLV32T-220J-EFD, imamo zalihe za trenutnu dostavu i dostupnu za dugo vremena.Pošaljite nam plan kupnje za NLV32T-220J-EFD putem e-pošte, mi ćemo vam dati najbolju cijenu prema vašem planu.
Kupi NLV32T-220J-EFD s LYNTEAM, spremite novac i vrijeme.
Naša e-mail: [email protected]
NLV32T-220J-EFD
- Dio brojeva:
- NLV32T-220J-EFD
- Proizvođač:
- TDK Corporation
- Opis:
- FIXED IND 22UH 110MA 3.7 OHM SMD
- Status slobodnog vođenja:
- Bez olova / RoHS sukladni
- Količina zaliha:
- 38298 Pieces
- Vrijeme isporuke:
- 1-2 days
- Olovo vrijeme:
- 4-8 weeks
- Obrazac podataka:
- NLV32T-220J-EFD.pdf
Uvod
Tehnički podaci
| Stanje | New & Original, tested |
|---|---|
| Zemlja podrijetla | Contact us |
| Oznaka za označavanje | Send by email |
| Tip: | Wirewound |
| Tolerancija: | ±5% |
| Paket uređaja za dobavljače: | 1210 |
| Veličina / dimenzija: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Ekranizacija: | Unshielded |
| Niz: | NLV-EFD |
| ocjene: | AEC-Q200 |
| Q @ Freq: | 30 @ 2.52MHz |
| Ambalaža: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / slučaj: | 1210 (3225 Metric) |
| Druga imena: | 445-16573-2 NLV32T-220J-EFD-ND |
| Radna temperatura: | -40°C ~ 105°C |
| Vrsta montaže: | Surface Mount |
| Razina osjetljivosti vlage (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materijal - jezgra: | Ferrite |
| Proizvođač Standardno vrijeme dovršetka: | 14 Weeks |
| Status slobodnog olova / RoHS-a: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvencija induktiviteta - ispitivanje: | 2.52MHz |
| induktanca: | 22µH |
| Visina - sjedalo (maks.): | 0.094" (2.40mm) |
| Frekvencija - Self Resonant: | 20MHz |
| Detaljan opis: | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 110mA 3.7 Ohm Max 1210 (3225 Metric) |
| DC otpor (DCR): | 3.7 Ohm Max |
| Trenutna ocjena: | 110mA |
| Tekuće - zasićenje: | - |
| Email: | [email protected] |
Povezani dijelovi za NLV32T-220J-EFD
Najnovije vijesti
- Kapacitet za proizvodnju HBM -a je isključen, DRAM memorija može biti u manjku u drugoj polovici godine
- Osnivači zidova završit će, HBM ili uzrokovati da se DRAM ponovno poveća
- AI potražnja za proširenjem mobilnih telefona i računala, Poboljšanje industrije za globalnu industriju poluvodiča
- Shvatite potrebe ADAS -a i sustava za nadzor kabine za senzore mrežnih sigurnosnih slika
- Šuška se da su Samsung i Sk Hynix zaustavili DDR3, a citat promocije porastao za 20 %
- Melexis je objavio MLX90427: Kontrola linija do novog izbora, sigurnih, učinkovitih i ekonomičnih
- Najavljeno je financijsko izvješće NXP i Ansonmei, a cijena cijene bakra prenosi se IC industriji
- Moels Micro Electronics postavio je nove urede u Tajvanu u Kini kako bi proširio poslovni teritorij
- Izvedba Texas Instruments još uvijek treba pojačati, a dvije tvornice za pohranu guraju nove flash memorijske proizvode
- Financijsko izvješće u prvom tromjesečju smanjuje se SEF Semiconductor (ST), a potražnja za automobilima je usporila
- Izvedba Texas Instruments još uvijek treba pojačati, a dvije tvornice za pohranu guraju nove flash memorijske proizvode
- Lokalni volumen zrelog čipa, Samsung NAND Flash memorija Proizvodnja kapaciteta u blizini opterećenja