FDMS3600S je dostupan sada!LYNTEAM Technology je distributer čarapa za FDMS3600S, imamo zalihe za trenutnu dostavu i dostupnu za dugo vremena.Pošaljite nam plan kupnje za FDMS3600S putem e-pošte, mi ćemo vam dati najbolju cijenu prema vašem planu.
Kupi FDMS3600S s LYNTEAM, spremite novac i vrijeme.
Naša e-mail: [email protected]
FDMS3600S
- Dio brojeva:
- FDMS3600S
- Proizvođač:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN
- Status slobodnog vođenja:
- Bez olova / RoHS sukladni
- Količina zaliha:
- 36260 Pieces
- Vrijeme isporuke:
- 1-2 days
- Olovo vrijeme:
- 4-8 weeks
- Obrazac podataka:
- FDMS3600S.pdf
Uvod
Tehnički podaci
| Stanje | New & Original, tested |
|---|---|
| Zemlja podrijetla | Contact us |
| Oznaka za označavanje | Send by email |
| Vgs (th) (maks.) @ Id: | 2.7V @ 250µA |
| Paket uređaja za dobavljače: | Power56 |
| Niz: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5.6 mOhm @ 15A, 10V |
| Snaga - maks: | 1W |
| Ambalaža: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / slučaj: | 8-PowerTDFN |
| Druga imena: | FDMS3600S-ND FDMS3600SFSTR Q6509374 Q6509374A Q6881411 |
| Radna temperatura: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vrsta montaže: | Surface Mount |
| Razina osjetljivosti vlage (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Proizvođač Standardno vrijeme dovršetka: | 39 Weeks |
| Status slobodnog olova / RoHS-a: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds: | 1680pF @ 13V |
| Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
| Vrsta FET-a: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET značajka: | Logic Level Gate |
| Ispustite izvor napona (Vdss): | 25V |
| Detaljan opis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 15A, 30A 1W Surface Mount Power56 |
| Tekuća - Kontinuirano pražnjenje (Id) @ 25 ° C: | 15A, 30A |
| Broj osnovnog dijela: | FDMS3600S |
| Email: | [email protected] |
Povezani dijelovi za FDMS3600S
Najnovije vijesti
- Qorvo je pokrenuo izvanredne visoke 5G mMimo preliminari
- Popis simulacijskih ciklusa, ai pokreće potražnju za flash memorijom nastavlja se
- Micronov plan za izgradnju tvornice, NAND flash memorije po visokim cijenama ili održavanju
- Adi performanse su smanjene, supstrati bakrene folije su porasle, skladištenje originalnih tvorničkih povećanja proizvodnje Konzervativno
- Dolazi val inteligencije u automobilu, a Aimus Oslang pomogao je Sagiti Juguang da pusti MX Lidar
- Kapacitet za proizvodnju HBM -a je isključen, DRAM memorija može biti u manjku u drugoj polovici godine
- Osnivači zidova završit će, HBM ili uzrokovati da se DRAM ponovno poveća
- AI potražnja za proširenjem mobilnih telefona i računala, Poboljšanje industrije za globalnu industriju poluvodiča
- Shvatite potrebe ADAS -a i sustava za nadzor kabine za senzore mrežnih sigurnosnih slika
- Šuška se da su Samsung i Sk Hynix zaustavili DDR3, a citat promocije porastao za 20 %
- Melexis je objavio MLX90427: Kontrola linija do novog izbora, sigurnih, učinkovitih i ekonomičnih
- Najavljeno je financijsko izvješće NXP i Ansonmei, a cijena cijene bakra prenosi se IC industriji