FD6M045N06 je dostupan sada!LYNTEAM Technology je distributer čarapa za FD6M045N06, imamo zalihe za trenutnu dostavu i dostupnu za dugo vremena.Pošaljite nam plan kupnje za FD6M045N06 putem e-pošte, mi ćemo vam dati najbolju cijenu prema vašem planu.
Kupi FD6M045N06 s LYNTEAM, spremite novac i vrijeme.
Naša e-mail: [email protected]
FD6M045N06
- Dio brojeva:
- FD6M045N06
- Proizvođač:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15
- Status slobodnog vođenja:
- Bez olova / RoHS sukladni
- Količina zaliha:
- 41736 Pieces
- Vrijeme isporuke:
- 1-2 days
- Olovo vrijeme:
- 4-8 weeks
- Obrazac podataka:
- FD6M045N06.pdf
Uvod
Tehnički podaci
| Stanje | New & Original, tested |
|---|---|
| Zemlja podrijetla | Contact us |
| Oznaka za označavanje | Send by email |
| Vgs (th) (maks.) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Paket uređaja za dobavljače: | EPM15 |
| Niz: | Power-SPM™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.5 mOhm @ 40A, 10V |
| Snaga - maks: | - |
| Ambalaža: | Tube |
| Paket / slučaj: | EPM15 |
| Radna temperatura: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Vrsta montaže: | Through Hole |
| Razina osjetljivosti vlage (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status slobodnog olova / RoHS-a: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds: | 3890pF @ 25V |
| Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs: | 87nC @ 10V |
| Vrsta FET-a: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET značajka: | Standard |
| Ispustite izvor napona (Vdss): | 60V |
| Detaljan opis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 60A Through Hole EPM15 |
| Tekuća - Kontinuirano pražnjenje (Id) @ 25 ° C: | 60A |
| Email: | [email protected] |
Povezani dijelovi za FD6M045N06
Najnovije vijesti
- Popis simulacijskih ciklusa, ai pokreće potražnju za flash memorijom nastavlja se
- Micronov plan za izgradnju tvornice, NAND flash memorije po visokim cijenama ili održavanju
- Adi performanse su smanjene, supstrati bakrene folije su porasle, skladištenje originalnih tvorničkih povećanja proizvodnje Konzervativno
- Dolazi val inteligencije u automobilu, a Aimus Oslang pomogao je Sagiti Juguang da pusti MX Lidar
- Kapacitet za proizvodnju HBM -a je isključen, DRAM memorija može biti u manjku u drugoj polovici godine
- Osnivači zidova završit će, HBM ili uzrokovati da se DRAM ponovno poveća
- AI potražnja za proširenjem mobilnih telefona i računala, Poboljšanje industrije za globalnu industriju poluvodiča
- Shvatite potrebe ADAS -a i sustava za nadzor kabine za senzore mrežnih sigurnosnih slika
- Šuška se da su Samsung i Sk Hynix zaustavili DDR3, a citat promocije porastao za 20 %
- Melexis je objavio MLX90427: Kontrola linija do novog izbora, sigurnih, učinkovitih i ekonomičnih
- Najavljeno je financijsko izvješće NXP i Ansonmei, a cijena cijene bakra prenosi se IC industriji
- Moels Micro Electronics postavio je nove urede u Tajvanu u Kini kako bi proširio poslovni teritorij