ESMH401VNN122MA80T je dostupan sada!LYNTEAM Technology je distributer čarapa za ESMH401VNN122MA80T, imamo zalihe za trenutnu dostavu i dostupnu za dugo vremena.Pošaljite nam plan kupnje za ESMH401VNN122MA80T putem e-pošte, mi ćemo vam dati najbolju cijenu prema vašem planu.
Kupi ESMH401VNN122MA80T s LYNTEAM, spremite novac i vrijeme.
Naša e-mail: [email protected]
ESMH401VNN122MA80T
- Dio brojeva:
- ESMH401VNN122MA80T
- Proizvođač:
- Nippon Chemi-Con
- Opis:
- CAP ALUM 1200UF 20% 400V SNAP
- Status slobodnog vođenja:
- Bez olova / RoHS sukladni
- Količina zaliha:
- 20680 Pieces
- Vrijeme isporuke:
- 1-2 days
- Olovo vrijeme:
- 4-8 weeks
- Obrazac podataka:
- 1.ESMH401VNN122MA80T.pdf2.ESMH401VNN122MA80T.pdf
Uvod
Tehnički podaci
| Stanje | New & Original, tested |
|---|---|
| Zemlja podrijetla | Contact us |
| Oznaka za označavanje | Send by email |
| Napon - Nazvan: | 400V |
| Tolerancija: | ±20% |
| Veličina površine površine kopna: | - |
| Veličina / dimenzija: | 1.378" Dia (35.00mm) |
| Niz: | SMH |
| Ripple Current @ Niska frekvencija: | 4.67A @ 120Hz |
| Ripple Current @ Visoka frekvencija: | 6.6781A @ 100kHz |
| ocjene: | - |
| Polarizacija: | Polar |
| Ambalaža: | Bulk |
| Paket / slučaj: | Radial, Can - Snap-In |
| Radna temperatura: | -25°C ~ 85°C |
| Vrsta montaže: | Through Hole |
| Razina osjetljivosti vlage (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Proizvođač Standardno vrijeme dovršetka: | 16 Weeks |
| Trajanje @ Temp.: | 2000 Hrs @ 85°C |
| Olovni razmak: | 0.394" (10.00mm) |
| Status slobodnog olova / RoHS-a: | Lead free / RoHS Compliant |
| Visina - sjedalo (maks.): | 3.228" (82.00mm) |
| ESR (otpor ekvivalentne serije): | 207 mOhm @ 120Hz |
| Detaljan opis: | 1200µF 400V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In 207 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C |
| Kapacitet: | 1200µF |
| Prijave: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Povezani dijelovi za ESMH401VNN122MA80T
Najnovije vijesti
- ARM se pojavio u Computex -u 2024: Očekuje se da će se za AI do kraja 2025. godine koristiti više od 100 milijardi ARM uređaja
- Qorvo je pokrenuo izvanredne visoke 5G mMimo preliminari
- Popis simulacijskih ciklusa, ai pokreće potražnju za flash memorijom nastavlja se
- Micronov plan za izgradnju tvornice, NAND flash memorije po visokim cijenama ili održavanju
- Adi performanse su smanjene, supstrati bakrene folije su porasle, skladištenje originalnih tvorničkih povećanja proizvodnje Konzervativno
- Dolazi val inteligencije u automobilu, a Aimus Oslang pomogao je Sagiti Juguang da pusti MX Lidar
- Kapacitet za proizvodnju HBM -a je isključen, DRAM memorija može biti u manjku u drugoj polovici godine
- Osnivači zidova završit će, HBM ili uzrokovati da se DRAM ponovno poveća
- AI potražnja za proširenjem mobilnih telefona i računala, Poboljšanje industrije za globalnu industriju poluvodiča
- Shvatite potrebe ADAS -a i sustava za nadzor kabine za senzore mrežnih sigurnosnih slika
- Šuška se da su Samsung i Sk Hynix zaustavili DDR3, a citat promocije porastao za 20 %
- Melexis je objavio MLX90427: Kontrola linija do novog izbora, sigurnih, učinkovitih i ekonomičnih