DMN1008UFDF-7 je dostupan sada!LYNTEAM Technology je distributer čarapa za DMN1008UFDF-7, imamo zalihe za trenutnu dostavu i dostupnu za dugo vremena.Pošaljite nam plan kupnje za DMN1008UFDF-7 putem e-pošte, mi ćemo vam dati najbolju cijenu prema vašem planu.
Kupi DMN1008UFDF-7 s LYNTEAM, spremite novac i vrijeme.
Naša e-mail: [email protected]
DMN1008UFDF-7
- Dio brojeva:
- DMN1008UFDF-7
- Proizvođač:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- MOSFET N-CH30V SC-59
- Status slobodnog vođenja:
- Bez olova / RoHS sukladni
- Količina zaliha:
- 36878 Pieces
- Vrijeme isporuke:
- 1-2 days
- Olovo vrijeme:
- 4-8 weeks
- Obrazac podataka:
- DMN1008UFDF-7.pdf
Uvod
Tehnički podaci
| Stanje | New & Original, tested |
|---|---|
| Zemlja podrijetla | Contact us |
| Oznaka za označavanje | Send by email |
| Vgs (th) (maks.) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tehnologija: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket uređaja za dobavljače: | U-DFN2020-6 (Type F) |
| Niz: | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Rasipanje snage (maks.): | 700mW (Ta) |
| Ambalaža: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / slučaj: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Radna temperatura: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vrsta montaže: | Surface Mount |
| Razina osjetljivosti vlage (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Proizvođač Standardno vrijeme dovršetka: | 16 Weeks |
| Status slobodnog olova / RoHS-a: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds: | 995pF @ 6V |
| Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs: | 23.4nC @ 8V |
| Vrsta FET-a: | N-Channel |
| FET značajka: | - |
| Pogonski napon (maks. Uključeno, min. Uključeno): | 2.5V, 4.5V |
| Ispustite izvor napona (Vdss): | 12V |
| Detaljan opis: | N-Channel 12V 12.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F) |
| Tekuća - Kontinuirano pražnjenje (Id) @ 25 ° C: | 12.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Povezani dijelovi za DMN1008UFDF-7
Najnovije vijesti
- Kapacitet za proizvodnju HBM -a je isključen, DRAM memorija može biti u manjku u drugoj polovici godine
- Osnivači zidova završit će, HBM ili uzrokovati da se DRAM ponovno poveća
- AI potražnja za proširenjem mobilnih telefona i računala, Poboljšanje industrije za globalnu industriju poluvodiča
- Shvatite potrebe ADAS -a i sustava za nadzor kabine za senzore mrežnih sigurnosnih slika
- Šuška se da su Samsung i Sk Hynix zaustavili DDR3, a citat promocije porastao za 20 %
- Melexis je objavio MLX90427: Kontrola linija do novog izbora, sigurnih, učinkovitih i ekonomičnih
- Najavljeno je financijsko izvješće NXP i Ansonmei, a cijena cijene bakra prenosi se IC industriji
- Moels Micro Electronics postavio je nove urede u Tajvanu u Kini kako bi proširio poslovni teritorij
- Izvedba Texas Instruments još uvijek treba pojačati, a dvije tvornice za pohranu guraju nove flash memorijske proizvode
- Financijsko izvješće u prvom tromjesečju smanjuje se SEF Semiconductor (ST), a potražnja za automobilima je usporila
- Izvedba Texas Instruments još uvijek treba pojačati, a dvije tvornice za pohranu guraju nove flash memorijske proizvode
- Lokalni volumen zrelog čipa, Samsung NAND Flash memorija Proizvodnja kapaciteta u blizini opterećenja