Το ZRC250N801TA είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την ZRC250N801TA, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το ZRC250N801TA μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε ZRC250N801TA με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
ZRC250N801TA
- Αριθμός εξαρτήματος:
- ZRC250N801TA
- Κατασκευαστής:
- Diodes Incorporated
- Περιγραφή:
- IC VREF SHUNT 2.5V 8SO
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 35818 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- ZRC250N801TA.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Έξοδος (Min / Σταθερό): | 2.5V |
| Τάση - Είσοδος: | - |
| Ανοχή: | ±1% |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | 90ppm/°C |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 8-SO |
| Σειρά: | - |
| Τύπος αναφοράς: | Shunt |
| Συσκευασία: | Original-Reel® |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Τύπος εξόδου: | Fixed |
| Αλλα ονόματα: | ZRC250N801DKR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Θόρυβος - 10Hz έως 10kHz: | 60µVrms |
| Θόρυβος - 0.1Hz έως 10Hz: | - |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Shunt Voltage Reference IC ±1% 5mA 8-SO |
| Τρέχουσες - Προμήθεια: | - |
| Τρέχουσες - εξόδου: | 5mA |
| Τρέχουσες - Καθοδικές: | 20µA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | ZRC250 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για ZRC250N801TA
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο