Το XC17S30XLPDG8C είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την XC17S30XLPDG8C, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το XC17S30XLPDG8C μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε XC17S30XLPDG8C με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
XC17S30XLPDG8C
- Αριθμός εξαρτήματος:
- XC17S30XLPDG8C
- Κατασκευαστής:
- Xilinx
- Περιγραφή:
- IC PROM PROG C-TEMP 3.3V 8-DIP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 50509 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- XC17S30XLPDG8C.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 3 V ~ 3.6 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 8-PDIP |
| Σειρά: | - |
| προγραμματιζόμενη Τύπος: | OTP |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 0°C ~ 70°C |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Μέγεθος μνήμης: | 300kb |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Αριθμός μέρους βάσης: | XC17S30XL |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για XC17S30XLPDG8C
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
XC17S30XLVOG8I | Xilinx | IC PROM SERIAL 3.3V 300K 8-SOIC | Έρευνα |
|
XC17S40PD8C | Xilinx | IC PROM PROG C-TEMP 5V 8-DIP | Έρευνα |
|
XC17S30AVO8C | Xilinx | IC PROM SER 300K 8-SOIC | Έρευνα |
|
XC17S30XLPD8I | Xilinx | IC PROM PROG I-TEMP 3.3V 8-DIP | Έρευνα |
|
XC17S30PD8C | Xilinx | IC PROM PROG C-TEMP 5V 8-DIP | Έρευνα |
|
XC17S40SO20I | Xilinx | IC PROM PROG I-TEMP 5V 20-SOIC | Έρευνα |
|
XC17S40XLPD8C | Xilinx | IC PROM PROG C-TEMP 3.3V 8-DIP | Έρευνα |
|
XC17S30VO8I | Xilinx | IC PROM SER 300K 8-SOIC | Έρευνα |
|
XC17S30XLVOG8C | Xilinx | IC PROM SERIAL 3.3V 300K 8-SOIC | Έρευνα |
|
XC17S30ASO20C | Xilinx | IC PROM SER 30000 C-TEMP 20-SOIC | Έρευνα |
|
XC17S30ASO20I | Xilinx | IC PROM SER 30000 I-TEMP 20-SOIC | Έρευνα |
|
XC17S40XLPD8I | Xilinx | IC PROM PROG I-TEMP 3.3V 8-DIP | Έρευνα |
|
XC17S30XLPD8C | Xilinx | IC PROM PROG C-TEMP 3.3V 8-DIP | Έρευνα |
|
XC17S40PD8I | Xilinx | IC PROM PROG I-TEMP 5V 8-DIP | Έρευνα |
|
XC17S40SO20C | Xilinx | IC PROM PROG C-TEMP 5V 20-SOIC | Έρευνα |
|
XC17S30PD8I | Xilinx | IC PROM PROG I-TEMP 5V 8-DIP | Έρευνα |
|
XC17S30AVO8I | Xilinx | IC PROM SER 300K 8-SOIC | Έρευνα |
|
XC17S30XLVO8C | Xilinx | IC 3V PROM SER 300K 8-SOIC | Έρευνα |
|
XC17S30XLVO8I | Xilinx | IC 3V PROM SER 300K 8-SOIC | Έρευνα |
|
XC17S30VO8C | Xilinx | IC PROM SER 300K 8-SOIC | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό