Το VLS252008ET-4R7M είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την VLS252008ET-4R7M, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το VLS252008ET-4R7M μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε VLS252008ET-4R7M με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
VLS252008ET-4R7M
- Αριθμός εξαρτήματος:
- VLS252008ET-4R7M
- Κατασκευαστής:
- TDK Corporation
- Περιγραφή:
- FIXED IND 4.7UH 590MA 580 MOHM
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 21202 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- VLS252008ET-4R7M.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Ανάλυση: | - |
| Χρήση: | Shielded |
| Τύπος: | Wirewound |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Σειρά: | VLS-E |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Πόλωση: | Nonstandard |
| Άλλα ονόματα: | 445-15825-2 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 105°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 12 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | VLS252008ET-4R7M |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.031" (0.80mm) |
| Τύπος υλικού: | 4.7µH |
| Συχνότητα - Test: | - |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | 580 mOhm Max |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 590mA 580 mOhm Max Nonstandard |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | ±20% |
| Διάμετρος - Ώμος: | - |
| Περιγραφή: | FIXED IND 4.7UH 590MA 580 MOHM |
| Χρόνος καθυστέρησης: | 1MHz |
| Αντίσταση DC (DCR): | 610mA |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 590mA |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | Ferrite |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για VLS252008ET-4R7M
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο