Το UNRL21100A είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την UNRL21100A, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το UNRL21100A μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε UNRL21100A με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
UNRL21100A
- Αριθμός εξαρτήματος:
- UNRL21100A
- Κατασκευαστής:
- Panasonic
- Περιγραφή:
- TRANS PREBIAS NPN 150MW ML4-N1
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 43965 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- UNRL21100A.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 50V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| transistor Τύπος: | NPN - Pre-Biased |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | ML4-N1 |
| Σειρά: | - |
| Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2): | 10 kOhms |
| Αντίσταση - Βάση (R1): | 10 kOhms |
| Ισχύς - Max: | 150mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SC-103 |
| Αλλα ονόματα: | UNRL21100ATR |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | 150MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount ML4-N1 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 35 @ 5mA, 10V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 500nA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για UNRL21100A
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
UNR92AEG0L | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3 | Έρευνα |
|
UNR92A9G0L | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3 | Έρευνα |
|
UNR92ANG0L | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3 | Έρευνα |
|
UNR92ALG0L | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3 | Έρευνα |
 |
UNRF2AN00A | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN 100MW ML3-N2 | Έρευνα |
|
UNR92A8G0L | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3 | Έρευνα |
 |
UNRL11500A | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 150MW ML4-N1 | Έρευνα |
|
UNRF2A100A | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN 100MW ML3-N2 | Έρευνα |
|
UNR92AVG0L | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3 | Έρευνα |
|
UNRF1A300A | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 100MW ML3-N2 | Έρευνα |
|
UNR92AFG0L | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3 | Έρευνα |
|
UNR92A6G0L | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3 | Έρευνα |
|
UNRF2A300A | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN 100MW ML3-N2 | Έρευνα |
|
UNRL11100A | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 150MW ML4-N1 | Έρευνα |
|
UNR92AMG0L | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3 | Έρευνα |
|
UNRL21300A | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN 150MW ML4-N1 | Έρευνα |
|
UNRF2A700A | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN 100MW ML3-N2 | Έρευνα |
|
UNRL21500A | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN 150MW ML4-N1 | Έρευνα |
|
UNRF1A400A | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 100MW ML3-N2 | Έρευνα |
|
UNRL11300A | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 150MW ML4-N1 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών