Το UFS560J/TR13 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την UFS560J/TR13, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το UFS560J/TR13 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε UFS560J/TR13 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
UFS560J/TR13
- Αριθμός εξαρτήματος:
- UFS560J/TR13
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 34295 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- UFS560J/TR13.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 5A |
| Τάσης - Ανάλυση: | DO-214AB |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | DO-214AB, SMC |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 60ns |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 18 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | UFS560J/TR13 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 600V 5A Surface Mount DO-214AB |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 10µA @ 600V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1.35V @ 5A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 600V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για UFS560J/TR13
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
UFS580GE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 5A DO215AB | Έρευνα |
|
UFS580G/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 5A DO215AB | Έρευνα |
 |
UFS550JE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 5A DO214AB | Έρευνα |
|
UFS550G/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 5A DO215AB | Έρευνα |
|
UFS570GE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 700V 5A DO215AB | Έρευνα |
|
UFS530JE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 300V 5A DO214AB | Έρευνα |
|
UFS570J/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 700V 5A DO214AB | Έρευνα |
|
UFS550GE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 5A DO215AB | Έρευνα |
|
UFS540G/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 5A DO215AB | Έρευνα |
|
UFS570JE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 700V 5A DO214AB | Έρευνα |
|
UFS580J/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB | Έρευνα |
|
UFS560G/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 5A DO215AB | Έρευνα |
|
UFS580JE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB | Έρευνα |
|
UFS540J/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB | Έρευνα |
|
UFS570G/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 700V 5A DO215AB | Έρευνα |
|
UFS540JE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB | Έρευνα |
|
UFS560JE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB | Έρευνα |
|
UFS560GE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 5A DO215AB | Έρευνα |
|
UFS550J/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 5A DO214AB | Έρευνα |
|
UFS540GE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 5A DO215AB | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών