Το UFS515G/TR13 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την UFS515G/TR13, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το UFS515G/TR13 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε UFS515G/TR13 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
UFS515G/TR13
- Αριθμός εξαρτήματος:
- UFS515G/TR13
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 150V 5A DO215AB
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 43501 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- UFS515G/TR13.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 5A |
| Τάσης - Ανάλυση: | DO-215AB |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | DO-215AB, SMC Gull Wing |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 30ns |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 18 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | UFS515G/TR13 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 150V 5A Surface Mount DO-215AB |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 10µA @ 150V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 150V 5A DO215AB |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 950mV @ 5A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 150V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για UFS515G/TR13
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
UFS515GE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 5A DO215AB | Έρευνα |
 |
UFS530J/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 5A DO214AB | Έρευνα |
|
UFS505GE3/TR13 | Microsemi | DIODE ULT FAST 5A 50V SMCG | Έρευνα |
|
UFS520GE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 5A DO215AB | Έρευνα |
|
UFS510G/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 5A DO215AB | Έρευνα |
|
UFS505G/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE ULT FAST 5A 50V SMCG | Έρευνα |
|
UFS510GE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 5A DO215AB | Έρευνα |
|
UFS515J/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 5A DO214AB | Έρευνα |
|
UFS380J/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB | Έρευνα |
|
UFS505JE3/TR13 | Microsemi | DIODE ULT FAST 5A 50V SMCJ | Έρευνα |
|
UFS530G/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 5A DO215AB | Έρευνα |
|
UFS530GE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 300V 5A DO215AB | Έρευνα |
|
UFS505J/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE ULT FAST 5A 50V SMCJ | Έρευνα |
|
UFS380JE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB | Έρευνα |
|
UFS510J/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 5A DO214AB | Έρευνα |
|
UFS510JE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 5A DO214AB | Έρευνα |
|
UFS515JE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 5A DO214AB | Έρευνα |
|
UFS520JE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB | Έρευνα |
|
UFS520J/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB | Έρευνα |
|
UFS520G/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 5A DO215AB | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών