TK22E10N1,S1X
TK22E10N1,S1X
Αριθμός εξαρτήματος:
TK22E10N1,S1X
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή:
MOSFET N CH 100V 52A TO220
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
49265 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
TK22E10N1,S1X.pdf

Εισαγωγή

Το TK22E10N1,S1X είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την TK22E10N1,S1X, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το TK22E10N1,S1X μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε TK22E10N1,S1X με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 300µA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-220
Σειρά:U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs:13.8 mOhm @ 11A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):72W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-220-3
Αλλα ονόματα:TK22E10N1,S1X(S
TK22E10N1S1X
Θερμοκρασία λειτουργίας:150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 50V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:28nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):100V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 100V 52A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:52A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις