TK14E65W,S1X
TK14E65W,S1X
Αριθμός εξαρτήματος:
TK14E65W,S1X
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
27525 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
TK14E65W,S1X.pdf

Εισαγωγή

Το TK14E65W,S1X είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την TK14E65W,S1X, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το TK14E65W,S1X μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε TK14E65W,S1X με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 690µA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-220
Σειρά:DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:250 mOhm @ 6.9A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):130W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-220-3
Αλλα ονόματα:TK14E65W,S1X(S
TK14E65W,S1X-ND
TK14E65WS1X
Θερμοκρασία λειτουργίας:150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 300V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:35nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):650V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:13.7A (Ta)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις