Το T494C336K006AT είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την T494C336K006AT, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το T494C336K006AT μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε T494C336K006AT με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
T494C336K006AT
- Αριθμός εξαρτήματος:
- T494C336K006AT
- Κατασκευαστής:
- KEMET
- Περιγραφή:
- CAP TANT 33UF 6.3V 10% 2413
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 41578 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- T494C336K006AT.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση Αξιολόγηση - AC: | - |
| Τάση - Ονομαστική: | 6.3V |
| Τύπος: | Molded |
| Ανοχή: | 33µF |
| Surface Mount Οικόπεδο: | - |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | C |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) |
| Σειρά: | T494 |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Πόλωση: | 2413 (6032 Metric) |
| Άλλα ονόματα: | 399-10250-2 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 17 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | T494C336K006AT |
| Ισόβια @ Temp.: | 300 mOhm |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.110" (2.80mm) |
| Χαρακτηριστικά: | General Purpose |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 33µF ±10% Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2413 (6032 Metric) 300 mOhm |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | ±10% |
| Περιγραφή: | CAP TANT 33UF 6.3V 10% 2413 |
| εφαρμογές: | 2000 Hrs @ 85°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για T494C336K006AT
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
T494C337K004AS | KEMET | CAP TANT 330UF 4V 10% 2312 | Έρευνα |
|
T494C336M020AT | KEMET | CAP TANT 33UF 20V 20% 2312 | Έρευνα |
|
T494C335K035AT | KEMET | CAP TANT 3.3UF 35V 10% 2312 | Έρευνα |
|
T494C336M010AT | KEMET | CAP TANT 33UF 10V 20% 2312 | Έρευνα |
|
T494C337K004AT | KEMET | CAP TANT 330UF 4V 10% 2312 | Έρευνα |
|
T494C226M010AT | KEMET | CAP TANT 22UF 10V 20% 2312 | Έρευνα |
|
T494C226M020AT | KEMET | CAP TANT 22UF 20V 20% 2312 | Έρευνα |
|
T494C226K025AS | KEMET | CAP TANT 22UF 25V 10% 2312 | Έρευνα |
|
T494C227M006AS | KEMET | CAP TANT 220UF 6.3V 20% 2312 | Έρευνα |
|
T494C226K025AT | KEMET | CAP TANT 22UF 25V 10% 2312 | Έρευνα |
|
T494C336M016AT | KEMET | CAP TANT 33UF 16V 20% 2312 | Έρευνα |
|
T494C336K010AT | KEMET | CAP TANT 33UF 10V 10% 2312 | Έρευνα |
|
T494C335M035AT | KEMET | CAP TANT 3.3UF 35V 20% 2312 | Έρευνα |
|
T494C227M006AT | KEMET | CAP TANT 220UF 6.3V 20% 2312 | Έρευνα |
|
T494C226M016AS | KEMET | CAP TANT 22UF 16V 20% 2312 | Έρευνα |
|
T494C336K016AT | KEMET | CAP TANT 33UF 16V 10% 2312 | Έρευνα |
|
T494C475K025AH | KEMET | CAP TANT 4.7UF 25V 10% 2312 | Έρευνα |
|
T494C336M025AT | KEMET | CAP TANT 33UF 25V 20% 2312 | Έρευνα |
 |
T494C474K050AT | KEMET | CAP TANT 0.47UF 50V 10% 2312 | Έρευνα |
|
T494C226M016AT | KEMET | CAP TANT 22UF 16V 20% 2312 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική