Το STTH5L04DEE-TR είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την STTH5L04DEE-TR, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το STTH5L04DEE-TR μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε STTH5L04DEE-TR με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
STTH5L04DEE-TR
- Αριθμός εξαρτήματος:
- STTH5L04DEE-TR
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 400V 5A POWERFLAT
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 36766 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- STTH5L04DEE-TR.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 5A |
| Τάσης - Ανάλυση: | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | 8-PowerVDFN |
| Άλλα ονόματα: | 497-13334-2 STTH5L04DEETR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 60ns |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 15 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | STTH5L04DEE-TR |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 400V 5A Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3) |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 2.5µA @ 400V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 400V 5A POWERFLAT |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1.25V @ 5A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 400V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για STTH5L04DEE-TR
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH5BCF060 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD | Έρευνα |
 |
STTH506TTI | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 600V 5A TO220AB | Έρευνα |
 |
STTH50W03CW | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 300V 25A TO247 | Έρευνα |
 |
STTH506D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC | Έρευνα |
 |
STTH50W06SW | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 50A TO247 | Έρευνα |
 |
STTH5L06 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD | Έρευνα |
 |
STTH506DTI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH5R06D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH512D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 5A TO220AC | Έρευνα |
 |
STTH5R06B | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK | Έρευνα |
 |
STTH5L06FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP | Έρευνα |
|
STTH5R06BY-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK | Έρευνα |
|
STTH512FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 5A TO220FP | Έρευνα |
|
STTH5R06B-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK | Έρευνα |
|
STTH5L06B-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK | Έρευνα |
|
STTH5L06D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH512B-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK | Έρευνα |
|
STTH5L06B | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK | Έρευνα |
|
STTH5L06RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD | Έρευνα |
 |
STTH512B | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών