Το STTH30S12W είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την STTH30S12W, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το STTH30S12W μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε STTH30S12W με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
STTH30S12W
- Αριθμός εξαρτήματος:
- STTH30S12W
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 50407 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- STTH30S12W.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 2.9V @ 30A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 1200V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DO-247 |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 50ns |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | DO-247-2 (Straight Leads) |
| Αλλα ονόματα: | 497-15569-5 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 175°C (Max) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 29 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 1200V 30A Through Hole DO-247 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 15µA @ 1200V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 30A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για STTH30S12W
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH310S | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC | Έρευνα |
 |
STTH310UFY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 3A SMBFLAT | Έρευνα |
 |
STTH310 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD | Έρευνα |
 |
STTH30RQ06WY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 30A DO247 | Έρευνα |
 |
STTH30RQ06GY-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH30RQ06W | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 30A DO247 | Έρευνα |
 |
STTH312B | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 3A DPAK | Έρευνα |
|
STTH30R06P | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 30A SOD93-2 | Έρευνα |
 |
STTH30W03CW | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 300V 15A TO247 | Έρευνα |
|
STTH30RQ06DY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH30R06W | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 30A DO247 | Έρευνα |
|
STTH30W02CW | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 15A TO247 | Έρευνα |
|
STTH30RQ06D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH30ST06GY-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH30ST06WY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 30A DO247 | Έρευνα |
 |
STTH312B-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 3A DPAK | Έρευνα |
 |
STTH30R06PI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 30A DOP3I | Έρευνα |
 |
STTH30S06W | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 30A DO247-2 | Έρευνα |
|
STTH30RQ06G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH310RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών