Το STTH3006TPI είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την STTH3006TPI, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το STTH3006TPI μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε STTH3006TPI με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
STTH3006TPI
- Αριθμός εξαρτήματος:
- STTH3006TPI
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- DIODE ARRAY GP 600V 30A 3TOPI
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 35521 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- STTH3006TPI.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 3.6V @ 30A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 600V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TOP-3I |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 45ns |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TOP-3 Insulated |
| Αλλα ονόματα: | 497-4410-5 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 150°C (Max) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 1 Pair Series Connection |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 600V 30A Through Hole TOP-3 Insulated |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 40µA @ 600V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 30A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για STTH3006TPI
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH3006DPI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 30A DOP3I | Έρευνα |
 |
STTH3002G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 30A D2PAK | Έρευνα |
 |
STTH3012W | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247 | Έρευνα |
 |
STTH3010GY-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 30A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH3006PI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 30A DOP3I | Έρευνα |
|
STTH3010PI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I | Έρευνα |
 |
STTH302RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD | Έρευνα |
 |
STTH3010D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH3002G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 30A D2PAK | Έρευνα |
 |
STTH3010WY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 30A DO247-2 | Έρευνα |
|
STTH3002W | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 30A DO247 | Έρευνα |
|
STTH302 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD | Έρευνα |
 |
STTH3003CW | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 300V 15A TO247-3 | Έρευνα |
|
STTH3002PI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 30A DOP3I | Έρευνα |
 |
STTH3002CT | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 15A TO220AB | Έρευνα |
|
STTH3006D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH3006W | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 30A DO247 | Έρευνα |
|
STTH3010W | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 30A DO247 | Έρευνα |
|
STTH3002CW | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 15A TO247-3 | Έρευνα |
|
STTH3012D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών