Το SS275TI12205 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SS275TI12205, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SS275TI12205 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SS275TI12205 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SS275TI12205
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SS275TI12205
- Κατασκευαστής:
- IXYS RF
- Περιγραφή:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V DE275
- Ποσότητα αποθέματος:
- 38551 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- SS275TI12205.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.8V @ 5A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 1200V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DE275 |
| Ταχύτητα: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 0ns |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -55°C ~ 175°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 18 Weeks |
| Diode Τύπος: | Silicon Carbide Schottky |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 3 Independent |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Array 3 Independent Silicon Carbide Schottky 1200V 5A Surface Mount 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 200µA @ 1200V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 5A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SS275TI12205
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
SS28B2027 | Leader Tech Inc. | FERRITE 105OHM HINGED 2.70MM | Έρευνα |
 |
SS26V-R120220 | KEMET | CMC 22MH 1.2A 2LN TH | Έρευνα |
 |
SS28B2034 | Leader Tech Inc. | FERRITE 220OHM HINGED 6.35MM | Έρευνα |
|
SS28B2031 | Leader Tech Inc. | FERRITE 200OHM HINGED 5.80MM | Έρευνα |
 |
SS275TC12205 | IXYS RF | DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V DE275 | Έρευνα |
|
SS26V-R250061 | KEMET | CMC 6.1MH 2.5A 2LN TH | Έρευνα |
|
SS275TA12205 | IXYS RF | DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V DE275 | Έρευνα |
|
SS26V-R150162 | KEMET | CMC 16.2MH 1.5A 2LN TH | Έρευνα |
 |
SS28-TP | Micro Commercial Components (MCC) | DIODE SCHOTTKY 80V 2A DO214AC | Έρευνα |
|
SS26V-R200102 | KEMET | CMC 10.2MH 2A 2LN TH | Έρευνα |
|
SS28A0434K | Leader Tech Inc. | FERRITE CORE HINGED 0.2" DIA | Έρευνα |
|
SS28B2032 | Leader Tech Inc. | FERRITE 230OHM HINGED 12.70MM | Έρευνα |
|
SS28B2030 | Leader Tech Inc. | FERRITE 200OHM HINGED 6.90MM | Έρευνα |
|
SS26V-R100330 | KEMET | COMMON MODE CHOKE 33MH 1A 2LN TH | Έρευνα |
 |
SS28 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 80V 2A DO214AA | Έρευνα |
|
SS28B2033 | Leader Tech Inc. | FERRITE 200OHM HINGED 7.60MM | Έρευνα |
|
SS26V-R300038 | KEMET | CMC 3.8MH 3A 2LN TH | Έρευνα |
|
SS26V-R080470 | KEMET | CMC 47MH 800MA 2LN TH | Έρευνα |
|
SS28A0593K | Leader Tech Inc. | FERRITE CORE HINGED 0.25" DIA | Έρευνα |
|
SS26V-R180123 | KEMET | CMC 12.3MH 1.8A 2LN TH | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών