Το SIT8009BIT11-33S είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SIT8009BIT11-33S, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SIT8009BIT11-33S μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SIT8009BIT11-33S με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SIT8009BIT11-33S
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SIT8009BIT11-33S
- Κατασκευαστής:
- SiTime
- Περιγραφή:
- OSC PROG LVCMOS 2.97-3.63V STBY
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 21935 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- SIT8009BIT11-33S.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 2.97 V ~ 3.63 V |
| Τύπος: | XO (Standard) |
| Spread Spectrum Bandwidth: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Σειρά: | SiT8009B |
| Ακροαματικότητα: | - |
| προγραμματιζόμενη Τύπος: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 4-SMD, No Lead |
| Παραγωγή: | HCMOS, LVCMOS |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος: | 0.032" (0.80mm) |
| Λειτουργία: | Standby |
| Σταθερότητα Συχνότητας (Σύνολο): | ±20ppm |
| Σταθερότητα συχνότητας: | ±20ppm |
| Λεπτομερής περιγραφή: | XO (Standard) HCMOS, LVCMOS 115MHz ~ 137MHz Programmable Oscillator 2.97 V ~ 3.63 V Standby 4-SMD, No Lead |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Max): | 7.5mA |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Απενεργοποίηση) (Max): | 4.2mA |
| Βασικό συντονιστή: | MEMS |
| Διαθέσιμο φάσμα συχνοτήτων: | 115MHz ~ 137MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SIT8009BIT11-33S
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT8009BIT11-XXS | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V STBY | Έρευνα |
 |
SIT8009BIT21-25N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V SMD | Έρευνα |
|
SIT8009BIT21-28E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT8009BIT11-30S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V STBY | Έρευνα |
|
SIT8009BIT11-33N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.97-3.63V SMD | Έρευνα |
|
SIT8009BIT11-33E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.97-3.63V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT8009BIT11-30E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT8009BIT21-25E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT8009BIT21-25S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V STBY | Έρευνα |
|
SIT8009BIT11-28N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V SMD | Έρευνα |
|
SIT8009BIT11-XXN | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V SMD | Έρευνα |
|
SIT8009BIT11-28S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V STBY | Έρευνα |
|
SIT8009BIT21-18E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.62-1.98V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT8009BIT11-25S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V STBY | Έρευνα |
|
SIT8009BIT21-18N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.62-1.98V SMD | Έρευνα |
|
SIT8009BIT11-28E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT8009BIT11-XXE | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT8009BIT11-30N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V 20PPM | Έρευνα |
|
SIT8009BIT11-25N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V SMD | Έρευνα |
|
SIT8009BIT21-18S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.62-1.98V STBY | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα