Το SIT3809AI-C-33EB είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SIT3809AI-C-33EB, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SIT3809AI-C-33EB μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SIT3809AI-C-33EB με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SIT3809AI-C-33EB
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SIT3809AI-C-33EB
- Κατασκευαστής:
- SiTime
- Περιγραφή:
- OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 42632 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.SIT3809AI-C-33EB.pdf2.SIT3809AI-C-33EB.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 3.3V |
| Τύπος: | VCXO |
| Spread Spectrum Bandwidth: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) |
| Σειρά: | SiT3809 |
| Ακροαματικότητα: | - |
| προγραμματιζόμενη Τύπος: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 6-SMD, No Lead |
| Παραγωγή: | LVCMOS, LVTTL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος: | 0.031" (0.79mm) |
| Λειτουργία: | Enable/Disable |
| Σταθερότητα Συχνότητας (Σύνολο): | - |
| Σταθερότητα συχνότητας: | ±10ppm |
| Λεπτομερής περιγραφή: | VCXO LVCMOS, LVTTL 80MHz ~ 220MHz Programmable Oscillator 3.3V Enable/Disable 6-SMD, No Lead |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Max): | 36mA |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Απενεργοποίηση) (Max): | 70µA |
| Βασικό συντονιστή: | MEMS |
| Διαθέσιμο φάσμα συχνοτήτων: | 80MHz ~ 220MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SIT3809AI-C-33EB
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT3809AI-C-33EH | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-C-28NZ | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 10PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT3809AI-C-28SB | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 10PPM STBY | Έρευνα |
|
SIT3809AI-C-28SE | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 10PPM STBY | Έρευνα |
|
SIT3809AI-C-28SH | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 10PPM STBY | Έρευνα |
|
SIT3809AI-C-28SM | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 10PPM STBY | Έρευνα |
|
SIT3809AI-C-28SZ | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 10PPM STBY | Έρευνα |
|
SIT3809AI-C-28NY | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 10PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT3809AI-C-33EY | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-C-33NG | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT3809AI-C-33EX | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-C-28SY | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 10PPM STBY | Έρευνα |
|
SIT3809AI-C-33NB | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT3809AI-C-33EE | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-C-28SG | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 10PPM STBY | Έρευνα |
|
SIT3809AI-C-33NE | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT3809AI-C-33EZ | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-C-33EM | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-C-28SX | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 10PPM STBY | Έρευνα |
|
SIT3809AI-C-33EG | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS