Το SIT2024BABS-28N είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SIT2024BABS-28N, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SIT2024BABS-28N μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SIT2024BABS-28N με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SIT2024BABS-28N
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SIT2024BABS-28N
- Κατασκευαστής:
- SiTime
- Περιγραφή:
- OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 55716 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.SIT2024BABS-28N.pdf2.SIT2024BABS-28N.pdf3.SIT2024BABS-28N.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 2.8V |
| Τύπος: | XO (Standard) |
| Spread Spectrum Bandwidth: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.114" L x 0.063" W (2.90mm x 1.60mm) |
| Σειρά: | SiT2024B |
| Ακροαματικότητα: | AEC-Q100 |
| προγραμματιζόμενη Τύπος: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SC-74A, SOT-753 |
| Παραγωγή: | LVCMOS |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος: | 0.057" (1.45mm) |
| Λειτουργία: | - |
| Σταθερότητα Συχνότητας (Σύνολο): | ±20ppm |
| Σταθερότητα συχνότητας: | ±20ppm |
| Λεπτομερής περιγραφή: | XO (Standard) LVCMOS 1MHz ~ 110MHz Programmable Oscillator 2.8V SC-74A, SOT-753 |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Max): | 4.8mA |
| Βασικό συντονιστή: | MEMS |
| Διαθέσιμο φάσμα συχνοτήτων: | 1MHz ~ 110MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SIT2024BABS-28N
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT2024BABS-XXE | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT2024BABS-18N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT2024BAAS-XXN | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V SMD | Έρευνα |
|
SIT2024BABS3-33N-25.000000E | SiTime | OSC MEMS 25.0000MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT2024BAAS-33E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT2024BABS-18E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT2024BABS-33E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT2024BABS-28E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT2024BAAS-33N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT2024BABS-25E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT2024BABS8-33E-8.000000E | SiTime | OSC MEMS 8.0000MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT2024BABS-30N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT2024BABS-33N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT2024BABS8-XXN-8.000000E | SiTime | OSC XO SOT23 B DRIVE 8MHZ NC | Έρευνα |
|
SIT2024BABS-XXN | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V SMD | Έρευνα |
|
SIT2024BAAS-30N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT2024BAAS-XXE | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT2024BABS-25N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT2024BABS8-33N-8.000000E | SiTime | OSC MEMS 8.0000MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT2024BABS-30E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM EN/DS | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα