SIA778DJ-T1-GE3
SIA778DJ-T1-GE3
Αριθμός εξαρτήματος:
SIA778DJ-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
30389 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
SIA778DJ-T1-GE3.pdf

Εισαγωγή

Το SIA778DJ-T1-GE3 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SIA778DJ-T1-GE3, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SIA778DJ-T1-GE3 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SIA778DJ-T1-GE3 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Σειρά:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:29 mOhm @ 5A, 4.5V
Ισχύς - Max:6.5W, 5W
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Αλλα ονόματα:SIA778DJ-T1-GE3TR
SIA778DJT1GE3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:27 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:500pF @ 6V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:15nC @ 8V
FET Τύπος:2 N-Channel (Dual)
FET Χαρακτηριστικό:Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):12V, 20V
Λεπτομερής περιγραφή:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V, 20V 4.5A, 1.5A 6.5W, 5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:4.5A, 1.5A
Αριθμός μέρους βάσης:SIA778
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις