SI3447CDV-T1-E3
SI3447CDV-T1-E3
Αριθμός εξαρτήματος:
SI3447CDV-T1-E3
Κατασκευαστής:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
37918 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
SI3447CDV-T1-E3.pdf

Εισαγωγή

Το SI3447CDV-T1-E3 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SI3447CDV-T1-E3, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SI3447CDV-T1-E3 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SI3447CDV-T1-E3 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Σειρά:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:36 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max):2W (Ta), 3W (Tc)
Συσκευασία:Cut Tape (CT)
Συσκευασία / υπόθεση:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Αλλα ονόματα:SI3447CDV-T1-E3CT
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:910pF @ 6V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:30nC @ 8V
FET Τύπος:P-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):12V
Λεπτομερής περιγραφή:P-Channel 12V 7.8A (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) Surface Mount
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:7.8A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις