SI1023X-T1-E3
SI1023X-T1-E3
Αριθμός εξαρτήματος:
SI1023X-T1-E3
Κατασκευαστής:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
57200 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
SI1023X-T1-E3.pdf

Εισαγωγή

Το SI1023X-T1-E3 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SI1023X-T1-E3, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SI1023X-T1-E3 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SI1023X-T1-E3 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:450mV @ 250µA (Min)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:SC-89-6
Σειρά:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
Ισχύς - Max:250mW
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:SOT-563, SOT-666
Αλλα ονόματα:SI1023X-T1-E3TR
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:-
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:1.5nC @ 4.5V
FET Τύπος:2 P-Channel (Dual)
FET Χαρακτηριστικό:Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):20V
Λεπτομερής περιγραφή:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 370mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:370mA
Αριθμός μέρους βάσης:SI1023
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις