RN2117MFV,L3F
Αριθμός εξαρτήματος:
RN2117MFV,L3F
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή:
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
31845 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
RN2117MFV,L3F.pdf

Εισαγωγή

Το RN2117MFV,L3F είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την RN2117MFV,L3F, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το RN2117MFV,L3F μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε RN2117MFV,L3F με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):50V
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 5mA
transistor Τύπος:PNP - Pre-Biased
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:VESM
Σειρά:-
Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2):4.7 kOhms
Αντίσταση - Βάση (R1):10 kOhms
Ισχύς - Max:150mW
Συσκευασία / υπόθεση:SOT-723
Αλλα ονόματα:RN2117MFVL3F
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Κατασκευαστής Standard Lead Time:16 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Λεπτομερής περιγραφή:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 10mA, 5V
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max):500nA
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις