RN1102T5LFT
RN1102T5LFT
Αριθμός εξαρτήματος:
RN1102T5LFT
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
57156 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
RN1102T5LFT.pdf

Εισαγωγή

Το RN1102T5LFT είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την RN1102T5LFT, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το RN1102T5LFT μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε RN1102T5LFT με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):50V
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
transistor Τύπος:NPN - Pre-Biased
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:SSM
Σειρά:-
Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2):10 kOhms
Αντίσταση - Βάση (R1):10 kOhms
Ισχύς - Max:100mW
Συσκευασία:Cut Tape (CT)
Συσκευασία / υπόθεση:SC-75, SOT-416
Αλλα ονόματα:RN1102T5LFTCT
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Συχνότητα - Μετάβαση:250MHz
Λεπτομερής περιγραφή:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:50 @ 10mA, 5V
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max):500nA
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις