RFP50N05L
Αριθμός εξαρτήματος:
RFP50N05L
Κατασκευαστής:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 50V 50A TO-220AB
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
25563 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1.RFP50N05L.pdf2.RFP50N05L.pdf

Εισαγωγή

Το RFP50N05L είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την RFP50N05L, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το RFP50N05L μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε RFP50N05L με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-220AB
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:22 mOhm @ 50A, 5V
Έκλυση ενέργειας (Max):110W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-220-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:140nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):4V, 5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):50V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 50V 50A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις