Το PS12018-A είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PS12018-A, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PS12018-A μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PS12018-A με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PS12018-A
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PS12018-A
- Κατασκευαστής:
- Powerex, Inc.
- Περιγραφή:
- MOD IPM 3PHASE IGBT 1200V 25A
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 57202 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PS12018-A.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Απομόνωση: | 2500Vrms |
| Τάση: | 1.2kV |
| Τύπος: | IGBT |
| Σειρά: | - |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 36-PowerDIP Module (2.480", 63.00mm) |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2kV 25A 36-PowerDIP Module (2.480", 63.00mm) |
| Ρεύμα: | 25A |
| Διαμόρφωση: | 3 Phase |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PS12018-A
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PS11034 | Powerex, Inc. | MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 15A | Έρευνα |
|
PS12038 | Powerex, Inc. | MOD IPM 3PHASE IGBT 1200V 25A | Έρευνα |
|
PS12032 | Powerex, Inc. | MOD IPM 3PHASE IGBT 1200V 5A | Έρευνα |
 |
PS11037 | Powerex, Inc. | MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 50A | Έρευνα |
|
PS12017-A | Powerex, Inc. | MOD IPM 3PHASE IGBT 1200V 25A | Έρευνα |
 |
PS1201 | IXYS Integrated Circuits Division | SSR RELAY SPST-NO 1A 0-400V | Έρευνα |
 |
PS11033 | Powerex, Inc. | MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 8A | Έρευνα |
|
PS12013-A | Powerex, Inc. | MOD IPM 3PHASE IGBT 1200V 5A | Έρευνα |
|
PS12034 | Powerex, Inc. | MOD IPM 3PHASE IGBT 1200V 10A | Έρευνα |
|
PS12015-A | Powerex, Inc. | MOD IPM 3PHASE IGBT 1200V 15A | Έρευνα |
|
PS12012-A | Powerex, Inc. | MOD IPM 3PHASE IGBT 1200V 5A | Έρευνα |
 |
PS1105WA-23-TR | Stanley Electric | LED | Έρευνα |
|
PS11036 | Powerex, Inc. | MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 30A | Έρευνα |
|
PS12036 | Powerex, Inc. | MOD IPM 3PHASE IGBT 1200V 15A | Έρευνα |
 |
PS12-1Y | Agastat Relays / TE Connectivity | SSR RELAY SPST-NO 10A 0-250V | Έρευνα |
|
PS12014-A | Powerex, Inc. | MOD IPM 3PHASE IGBT 1200V 10A | Έρευνα |
|
PS1195WB-TR | Stanley Electric | LED | Έρευνα |
|
PS11035 | Powerex, Inc. | MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 20A | Έρευνα |
|
PS1192FB-TR | Stanley Electric | LED LAMP | Έρευνα |
|
PS12033 | Powerex, Inc. | MOD IPM 3PHASE IGBT 1200V 5A | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS