Το PBSS4330PA,115 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PBSS4330PA,115, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PBSS4330PA,115 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PBSS4330PA,115 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PBSS4330PA,115
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PBSS4330PA,115
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- TRANS NPN 30V 3A SOT1061
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 42709 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PBSS4330PA,115.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 30V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 300mA, 3A |
| transistor Τύπος: | NPN |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 3-HUSON (2x2) |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | 2.1W |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 3-PowerUDFN |
| Αλλα ονόματα: | 1727-5112-1 568-6409-1 568-6409-1-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 16 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | 210MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 3A 210MHz 2.1W Surface Mount 3-HUSON (2x2) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 270 @ 1A, 2V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 100nA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 3A |
| Αριθμός μέρους βάσης: | PBSS4330 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PBSS4330PA,115
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4350SSJ | Nexperia | TRANS 2NPN 50V 2.7A 8SOIC | Έρευνα |
 |
PBSS4350D,135 | Nexperia | TRANS NPN 50V 3A 6TSOP | Έρευνα |
|
PBSS4350D,125 | Nexperia | TRANS NPN 50V 3A 6TSOP | Έρευνα |
 |
PBSS4330X,115 | Nexperia | TRANS NPN 30V 3A SOT89 | Έρευνα |
|
PBSS4320TVL | Nexperia | PBSS4320T/SOT23/TO-236AB | Έρευνα |
|
PBSS4350SPN,115 | Nexperia | TRANS NPN/PNP 50V 2.7A 8SO | Έρευνα |
 |
PBSS4260PANP,115 | Nexperia | TRANS NPN/PNP 60V 2A 6HUSON | Έρευνα |
|
PBSS4250X,115 | Nexperia | TRANS NPN 50V 2A SOT89 | Έρευνα |
|
PBSS4330X,135 | Nexperia | TRANS NPN 30V 3A SOT89 | Έρευνα |
 |
PBSS4260QAZ | Nexperia | TRANS NPN 60V 2A DFN1010D-3 | Έρευνα |
 |
PBSS4350S,126 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS NPN 50V 3A TO92 | Έρευνα |
|
PBSS4260PANSX | Nexperia | TRANS 2NPN 60V 2A 6HUSON | Έρευνα |
 |
PBSS4320T,215 | Nexperia | TRANS NPN 20V 2A SOT23-3 | Έρευνα |
 |
PBSS4330PASX | Nexperia | IC TRANS NPN 30V 3A SOT1061 | Έρευνα |
|
PBSS4350SS,115 | Nexperia | TRANS 2NPN 50V 2.7A 8SO | Έρευνα |
|
PBSS4260PANPSX | Nexperia | TRANS NPN/PNP 60V 2A 6HUSON | Έρευνα |
|
PBSS4250X,135 | Nexperia | TRANS NPN 50V 2A SOT89 | Έρευνα |
|
PBSS4350D,115 | Nexperia | TRANS NPN 50V 3A 6TSOP | Έρευνα |
|
PBSS4260PAN,115 | Nexperia | TRANS 2NPN 60V 2A 6HUSON | Έρευνα |
|
PBSS4320X,135 | Nexperia | TRANS NPN 20V 3A SOT89 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU