Το NOJC226M010RWJ είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την NOJC226M010RWJ, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το NOJC226M010RWJ μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε NOJC226M010RWJ με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
NOJC226M010RWJ
- Αριθμός εξαρτήματος:
- NOJC226M010RWJ
- Κατασκευαστής:
- AVX Corporation
- Περιγραφή:
- CAP NIOB OXIDE 22UF 20% 10V 2312
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 48890 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- NOJC226M010RWJ.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 10V |
| Ανοχή: | ±20% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 2312 (6032 Metric) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) |
| Σειρά: | OxiCap® NOJ |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 2312 (6032 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | 478-3124-2 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 105°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 12 Weeks |
| Κατασκευαστής Μέγεθος Κωδικός: | C |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.110" (2.80mm) |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 500 mOhms |
| απαγωγή Factor: | 6% |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 22µF Niobium Oxide Capacitor 10V 2312 (6032 Metric) 500 mOhms |
| Τρέχουσες - Διαρροή: | 4.4µA |
| χωρητικότητα: | 22µF |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για NOJC226M010RWJ
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
NOJC157M002RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 150UF 20% 2.5V 2312 | Έρευνα |
|
NOJC476M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 47UF 20% 4V 2312 | Έρευνα |
|
NOJC336M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 33UF 20% 6.3V 2312 | Έρευνα |
|
NOJC336M010RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 33UF 20% 10V 2312 | Έρευνα |
|
NOJC107M002RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 100UF 20% 2.5V 2312 | Έρευνα |
|
NOJC107M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 100UF 20% 6.3V 2312 | Έρευνα |
|
NOJC157M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 150UF 20% 4V 2312 | Έρευνα |
|
NOJC227M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 220UF 20% 4V 2312 | Έρευνα |
|
NOJC337M001RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 330UF 20% 1.8V 2312 | Έρευνα |
|
NOJC157M002SWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 150UF 20% 2.5V 2312 | Έρευνα |
|
NOJC157M001RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 150UF 20% 1.8V 2312 | Έρευνα |
|
NOJC227M002RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 220UF 20% 2.5V 2312 | Έρευνα |
|
NOJC337M002RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 330UF 20% 2.5V 2312 | Έρευνα |
|
NOJC227M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 220UF 20% 6.3V 2312 | Έρευνα |
|
NOJC227M001RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 220UF 20% 1.8V 2312 | Έρευνα |
|
NOJC107M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 100UF 20% 4V 2312 | Έρευνα |
|
NOJC107M001RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 100UF 20% 1.8V 2312 | Έρευνα |
|
NOJC157M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 150UF 20% 6.3V 2312 | Έρευνα |
|
NOJC107M002SWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 100UF 20% 2.5V 2312 | Έρευνα |
|
NOJC476M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 47UF 20% 6.3V 2312 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών