Το NE856M02-T1-AZ είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την NE856M02-T1-AZ, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το NE856M02-T1-AZ μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε NE856M02-T1-AZ με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
NE856M02-T1-AZ
- Αριθμός εξαρτήματος:
- NE856M02-T1-AZ
- Κατασκευαστής:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Περιγραφή:
- RF TRANSISTOR NPN SOT-89
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 37082 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- NE856M02-T1-AZ.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 12V |
| transistor Τύπος: | NPN |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT-89 |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | 1.2W |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-243AA |
| Αλλα ονόματα: | NE856M02-T1-AZCT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 150°C (TJ) |
| Θόρυβος Σχήμα (dB Τύπος @ στ): | 1.1dB @ 1GHz |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Κέρδος: | 12dB |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | 6.5GHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | RF Transistor NPN 12V 100mA 6.5GHz 1.2W Surface Mount SOT-89 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 50 @ 20mA, 10V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 100mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | NE856 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για NE856M02-T1-AZ
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο